160 天然优势，背靠祖国[第2页/共4页]

至此，韩国人全面崛起于日韩半导体战役，成为环球半导体产业大国。

但对峙财产链的横向扩大，这是成为半导体强国的必经之路。

客观而言，财产链横向扩大对于天朝是很难复制的，因为西方列强底子不会对天朝输出半导体集成电路芯片的核心技术。

3、3、西安市财务对投资额停止30%的补助。

这一期间，韩国半导体产业产值超越225亿美金，期间增加437%。

早在1980年，日本东芝的藤尾增冈雇用4名工程师启动一个奥妙的项目以研发下一代存储芯片，实现存储大量数据，并且让用户能够买得起。藤尾增冈宣称：“庞煖们晓得只要晶体管在尺寸上降下来，那么芯片的本钱也将会降落。”很快推出了一款EEPROM的改进产品，影象单位由1个晶体管构成。在当时，通例的EEPROM每个影象单位需求2个晶体管，这个小小的分歧对代价带来了庞大的影响，日本人将这个芯片称为FLASH，这个名字也是因为芯片的超快擦除才气，FLASH芯片基于NAND技术，这一技术能够供应更高容量的存储，并且更轻易制造。1989年，东芝首款NAND FLASH上市。

在闻名的《科技红利大期间》一书中，初次提出科技红利、有效研发投入和压强系数等科技红利的研讨思惟。

1996年，韩国三星的DRAM芯片出口额达到62亿美金，居天下第一。

依托64M DRAM，三星超出日本NEC，初次成为环球第一大DRAM内存制造商。

2009年第三季度，海力士扭亏为盈。

2、2、西安市每年向三星补助水、电、绿化、物流用度5亿元。

本日，另有多少人记得，NAND FALSH是日本人发明的呢？

第一块1M DRAM投放市场时是1986年，比日本人只晚了12个月。

堕入1997年东南亚金融危急的韩国海力士(Hynix)，以3.8亿美金的代价，将TFT-LCD部分团体售给京东方，海力士就此专注于DRAM范畴，并获得贵重的资金和天朝市场。

2008年环球金融危急发作后，一年时候内，环球DRAM财产累计亏损超越125亿美金，苔弯省DRAM财产更是全线崩盘。

1992年韩国人64M DRAM略微抢先于日本人和米国人胜利研制后，韩国人并没有停下科技红利之有效研发投入。

4、4、西安市对所得税征收，前十年全免，后十年半额征收。同时西安市还承诺，将为项目修建高速公路和地铁等交通根本设施，总的补助金额保守估计在300亿元以上。

1980-1985年，韩国人在米国人搀扶下，仅仅用5年时候快速完成并把握16K、64K 、256K DRAM的关头技术的研制，一举超出日本人畴昔三十年的统统尽力。

当三星的西安项目完工以后，2016年东芝就过不下去了，2017年东芝不得不出售存储部分。

为了拉开与东芝的差异，三星决定新建NAND FLASH工厂。

第一，挺进天朝大陆市场，修建广漠的计谋纵深。

嗯，从小泉纯一郎到现在的安倍，他们每天忙着来莳花家肇事，比如垂钓岛。

海力士拿着韩国利川工厂淘汰的8英寸晶圆设备，依托天朝资金、地盘、工人和天朝市场，用戋戋3亿美金撬动了一项20亿美金的投资。

从1992-1999年，韩国人通过持续科技红利之有效研发投入进一步夯实64M DRAM胜利果实的根本上，通过压强原则，扩大对日本人的合作上风，完成了从追逐到超出的大逆袭过程。