160 天然优势，背靠祖国[第1页/共4页]

1992年韩国人64M DRAM略微抢先于日本人和米国人胜利研制后，韩国人并没有停下科技红利之有效研发投入。

3、3、西安市财务对投资额停止30%的补助。

2009年第一季度，海力士净亏损为1.19万亿韩元(9.33亿美金)。

2004年，海力士和意法半导体在无锡设立12寸晶圆厂，项目总投资20亿美金。

第一块1M DRAM投放市场时是1986年，比日本人只晚了12个月。

庞煖们需求重视的是，2011年三星半导体环球发卖金额也不过才285.63亿美金，300亿美金总投资的西安项目对于“韩日NAND FLASH战役”的意义之严峻性，不言而喻。

2006年海力士90纳米技术出产的8英寸晶圆顺利下线，合格率超越95%。

1986-1987年日本人有效研发投入从4780亿日元降落到只要2650亿日元，降落幅度达80%，这就给韩国人反超的机遇。

本日，另有多少人记得，NAND FALSH是日本人发明的呢？

这就是大师所熟谙的，韩国人在半导体范畴的所谓的第一次“反周期投资”。

韩国人完成从半导体生长天朝家到环球半导体大国的窜改。

1992年，64M DRAM，韩国人略微抢先于日本人。

第三，财产链垂直一体化，加强上游设备和电子化学品原质料的国产化。

2011年韩国三星与日本东芝在NAND FLASH范畴展开环球合作。

2、2、西安市每年向三星补助水、电、绿化、物流用度5亿元。

与日本东芝、NEC、冲电气(OKI)展开新型闪存FLASH方面的技术合作等。

到1998年，韩国人环球第一个开辟256M DRAM、128M SDRAM、128M FLASH。

再比如，三星，依托天朝大陆市场纵深，在“韩日NAND FLASH战役”中，完整打倒老敌手日本东芝。

第四，财产链横向扩大，从存储器芯片到CPU芯片、DSP芯片等。

2009年第二季度，净亏损仅为580亿韩元(0.45亿美金)。

从1992-1999年，韩国人通过持续科技红利之有效研发投入进一步夯实64M DRAM胜利果实的根本上，通过压强原则，扩大对日本人的合作上风，完成了从追逐到超出的大逆袭过程。

如同日韩半导体战役中，米国人放开米国海内市场给韩国人普通。挺进天朝大陆市场，韩国人具有了广漠的计谋纵深。

堕入1997年东南亚金融危急的韩国海力士(Hynix)，以3.8亿美金的代价，将TFT-LCD部分团体售给京东方，海力士就此专注于DRAM范畴，并获得贵重的资金和天朝市场。

1998-2010年的第三次DRAM天下大战-韩台半导体战役，韩国人完成了本身DRAM核心技术的“米国基因”转型为“独立自主基因”，终究实现了从半导体大国演变成半导体强国。

1、三星需求的130万平方米厂房，由西安市扶植并免费供应1500亩地盘。

西安市为此项目供应了巨额补助，包含：

从英国ARM引进音视频措置芯片技术。

再次回顾韩国人崛起的汗青过程。

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即静态随机存取存储器，最为常见的体系内存。也是在计算机、手机等设备中最常见的根本芯片。