160 天然优势，背靠祖国[第3页/共4页]

1989年三星第一块4M DRAM与日本人几近是同时投放市场的。

上世纪90年代，韩国当局主导推出总预算2000亿韩元(2.5亿美圆)的半导体设备国产化项目，鼓励韩国企业投资设备和电子化学品质料供应链。

韩国半导体出口产值达25.33亿美金，期间增加113%。

2011年韩国三星与日本东芝在NAND FLASH范畴展开环球合作。

5年时候，韩国半导体产业产值达41.87亿美金，期间增加176%。

这一期间，韩国半导体产业产值超越225亿美金，期间增加437%。

2009年第二季度，净亏损仅为580亿韩元(0.45亿美金)。

1995年韩国人再次快速晋升压强系数，科技红利之有效研发投入再次大幅度晋升，同比增速高达96.82%。

工商银行江苏分行牵头，11家中资银行、9家外资银行构成存款团对无锡海力士项目放贷5年期的7.5亿美金存款。

以三星为例，通过与米国、欧洲企业建立联盟合作干系，三星在DRAM以外，获得了大量芯片财产资本。

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即静态随机存取存储器，最为常见的体系内存。也是在计算机、手机等设备中最常见的根本芯片。

对天朝大陆市场计谋纵深，日本人又是如何态度？

为了拉开与东芝的差异，三星决定新建NAND FLASH工厂。

三星第一块64K DRAM投放市场时是1984年，比日本人足足晚了40个月。

1996-1997年持续两年保持高位压强系数状况。

1996年，韩国三星的DRAM芯片出口额达到62亿美金，居天下第一。

华亚科技从2008年起持续亏损五年，累计亏损804.48亿元新台币(24.4亿美金)。

海力士拿着韩国利川工厂淘汰的8英寸晶圆设备，依托天朝资金、地盘、工人和天朝市场，用戋戋3亿美金撬动了一项20亿美金的投资。

2、2、西安市每年向三星补助水、电、绿化、物流用度5亿元。

1992年韩国人64M DRAM略微抢先于日本人和米国人胜利研制后，韩国人并没有停下科技红利之有效研发投入。

1993年反而通过压强原则，重点进犯，科技红利之有效研发投入同比增加70.19%，稳固对日本人的抢先上风。

256M DRAM：4个月内，月产量由40万颗进步到140万颗，增加了250%，出产比重由2.4%进步到6%。

别的，在20亿美金总投资以外，无锡市当局还承担厂房扶植，无锡市当局一共出资3亿美圆扶植两座占地54万平方米，面积32万平方米的晶圆厂房，租赁给韩国海力士及意法半导体利用。

2006年海力士90纳米技术出产的8英寸晶圆顺利下线，合格率超越95%。

1992年三星环球第一个胜利研制64M DRAM。64M DRAM，硅片直径为200-250mm，芯片面积为135mm2，集成度为140000000。

堕入1997年东南亚金融危急的韩国海力士(Hynix)，以3.8亿美金的代价，将TFT-LCD部分团体售给京东方，海力士就此专注于DRAM范畴，并获得贵重的资金和天朝市场。