158 日韩半导体战争[第2页/共4页]

米国完美的人才培养体系，特别是硅谷源源不竭的半导体人才，直到明天还是米国半导体集成电路芯片财产最贵重的资本，科技创新的源泉，科技红利投入的有效包管。

日本人向米国粹习，在米国人的搀扶下开端建立本身完整的半导体产业体系，并构成了本身国度在科技冲破上的研发体系。

第三，举国体制，冲破财产链高低流，特别是半导体关头出产制造设备。70年代日本固然能够出产DRAM内存芯片。

肯定目标、追逐、超出。

2008-2009年，中芯国际面对台积电在米国的337调查和诉讼，尔必达无法停止和中芯国际的合作，尔必达完整落空最后的朝气。

第三研讨室，东芝公司，卖力EB扫描设备与制版复印设备，室长：武石喜幸。

第五研讨室，三菱电机，开辟制程技术与投影暴光设备，室长：奥泰二。

在科技红利之有效研发投入上，远远超越米国人，这才是日本人得胜的本质。

朝鲜战役的发作，日本人获得了米国的搀扶。

直到2010年之前，日本的半导体设备指数和米国费城半导体指数BB值，是评价环球半导体行业景气度的两个关头目标。

这构成了日本半导体产业体系的雏形，一下子收缩了和天朝人的差异。

第二，官产学三位一体，制定国度项目停止重点攻关。

在第二次DRAM天下大战-美日半导体战役中，日本制定了三步走的计谋：

在随后的第二次、第三次环球半导体硅含量晋升周期中。

1978年日本人发明64k DRAM，其问世标记取超大范围集成电路(VLSI)期间的到临，硅片直径为100-125mm，芯片面积为26.6mm2，集成度为155000。首要技术为循环位线、折叠数据线。

三十年会聚一朝抖擞，到1986年日本人占有环球DRAM存储器芯片市场80%份额，成为当时环球半导体财产的新霸主。

对于质料体味越多，晓得的越深切，庞煖越认识到。天朝和米国半导体产业的差异，是全方位的差异，而不是仅仅一两个环节。

在DRAM出产制程设备攻干体系中，日本人连合分歧、同心合力，这类举国体制的国度力量令人震惊。

尔必达与天朝台湾省的力晶半导体建立联盟以对抗韩国人。

2012年7月镁光科技以25亿美圆的超低代价收买日本尔必达，随后，镁光市值从60亿美圆暴增至360亿美圆，成为尔必达停业的最大受益者。这闭幕了米国人和日本人之间长达50年的恩仇情仇，美日半导体战役画上终究句号。

2012年7月，镁光科技以25亿美金收买尔必达。

但是。日本就以此为目标，建立了超大范围集成电路(VLSI)的技术演进途径，而当时环球支流仍处于MOS晶体管技术线路中。

第二，研发文明的抵触，特别是技术途径的分歧庞大。比如在64M进级到256M DRAM的技术攻关中，NEC夸大技术体系的同一性，要求在64M的根本上实现技术进级，而日立夸大技术的创新和冲破，要求采取新质料、新布局等新技术寻求技术冲破。NEC以为同一机能包管较高的成品率，而日立则是优先考虑用新技术带来冲破，再去研讨同一性题目。NEC夸大同一性，而日立倡导冲破性，这是两种完整分歧的研发文明，带来的思惟体例完整分歧的，这使得DRAM关头技术研发上，辩论不已、疲塌烦复，完整掉队于韩国人的研发进度。