第84章 IGBT与碳化硅[第3页/共3页]

目前国际市场上欧洲和日本对IGBT情有独钟，大量利用，同时仍然在投入重金停止研发。

第二代半导体质料主如果指化合物半导体质料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP，首要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高机能微波、毫米波器件及发光器件的良好质料。

这个第三代半导体的名字很轻易让人曲解，觉得这玩意是替代前两代的。

KUH这玩意算得上国际一流水准，但加上运费关税啥的，报价也就25000群众币一台。

第三代半导体质料首要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（Eg2.3eV）半导体质料。在利用方面，按照第三代半导体的生长环境，其首要利用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器以及其他4个范畴，每个范畴财产成熟度各不不异。

明显东西更便宜，但在节制器上却花血本天时用了高贵的第三代半导体的碳化硅。

这还是小批量样品的代价，前期如果大范围量产且订货量充足多的话，还能够有扣头。

KUH为新产品也是投入了心机，用的是800V级别的产品，代价比支流的天然要高，KUH的对外鼓吹质料上为此大肆鼓吹，说这是业内初创。

这也不奇特IGBT本来就是连络二者的产品，BJT的通导电阻小，但驱动电流大，MOSFET恰好相反，电阻大，电流小。

以是三代同堂，各管一摊。