第84章 IGBT与碳化硅[第1页/共3页]

IGBT有个天生的弊端，固然出世之初就是为了应对高压高电流的事情环境，但实际上在IGBT在高电压环境上表示普通，目前支流产品能够事情在400-600V。

第一代半导体就是熟知的硅和锗，美国人用前者制作芯片乃至计算机CPU，俄国人则用后者，二者的好坏先不去说，总之，这是人类半导体技术的发源，直到现在硅还在兢兢业业地阐扬首要感化。

固然从纸面数据看，应当没有质差，但是真装到车上后就不一样了，这需求学问和经历。

电机企业赚点心血钱也不轻易。

幸亏驭电能人极多，在程高傲的陈述交上去后，苏权构造电机组的同事，对陈述停止阐发评价。

这些题目确切是减分项目，可真说要减太多也不尽然，减轻驭电工程师的事情量倒是真的。

终究内部获得共鸣，刘琼没有扯谎，这确切是个好东西！

话不算错，800V级别的产品相称超卓，因为体制干系，实际上IGBT很难接受1000V以上的高压。

RA2的综合机能相称优良和KUH的产品在伯仲之间。

明显东西更便宜，但在节制器上却花血本天时用了高贵的第三代半导体的碳化硅。

和第一代、第二代半导体质料比拟，第三代半导体质料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射才气，因此更合适于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，凡是又被称为宽禁带半导体质料（禁带宽度大于2.2ev），也称为高温半导体质料。

华东电机研讨院表示，如果他们那款代号为KA5的扁线电机进入量产阶段的话，本钱大抵能够节制在一万出头。

实际并非如此，三者是完整并行形式。

这还是小批量样品的代价，前期如果大范围量产且订货量充足多的话，还能够有扣头。

IGBT连络了场效晶体管栅极易驱动的特性与双极性晶体管耐高电流与低导通电压降特性，IGBT凡是用于中高容量功率场合，如切换式电源供应器、马达节制。大型的IGBT模组利用于数百安培与六千伏特的电力体系范畴，其模组内部包含数个单一IGBT元件与庇护电路。

把这二者连络起来后的IGBT完美担当二者长处，电流和电阻都小，从而效力更高也更加节能。

第二代半导体质料主如果指化合物半导体质料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP，首要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高机能微波、毫米波器件及发光器件的良好质料。

大范围的产业出产毕竟是要讲经济效益的，省电的上风没法覆盖高本钱。

简朴地说，这玩意就是节制器的核心。

但很奇特，作为天下电机第一大国的美国，曾经在IGBT上技术储备薄弱，但这些年却走了另一条路，那就是第三代半导体碳化硅。

程高傲目前最想搞清楚的题目是：华东电机研讨院的产品和KUH之间的差异到底有多大。

只是关照质量部和供应链团队，把华东电机研讨院列到备用供应商的清单中去。

根基上电机的售价就是那点质料钱，这年初铜价飞涨。

而碳化硅则是IGBT的下一代产品。

当然IGBT本身也有些题目，但在长达四十年的利用中，无数的科研职员和工程师绞尽脑汁去研讨，终究让眼下的IGBT产品达到一个相对完美的程度。

KUH这玩意算得上国际一流水准，但加上运费关税啥的，报价也就25000群众币一台。